CMOS RF为物联网开放了1美元的节点通道

无线互联网市场正在推动物联网的爆炸性增长。据悉，到2017年，WiFi产品的年出货量有望达到30亿，而物联网的年出货量有望在2020年达到500亿。
同时，为促进进一步的普及在IoT设备方面，业界正在积极开发成本低至1美元的IoT传感器节点。这也意味着传统的GaAs或SiGe材料很难获得任何利润。
在这方面，RF制造商正计划用CMOS芯片替代传统解决方案，以达到降低生产成本和满足网络化趋势的目标。对于物联网，无线传感器节点是必需的“通道”。
用于设备互连。因此，相关行业特别关注RF芯片的成本。
尽管砷化镓（GaAs）RF芯片仍是市场上的主流，但随着RF成本的压力越来越大，其出货量已高​​达90％，但在未来，低成本，低功耗和高性能RF由CMOS领导的解决方案将成为“新宠”。物联网市场。
RFaxis全球销售副总裁Raymond Biagan表示，RFeIC技术可以为许多以无线通信为主要平台的应用程序提供支持，包括宽带，移动设备和物联网。就封装规格，性能和成本而言，RFaxis的纯CMOS芯片具有诱人的前景。
自2008年成立以来，专注于新一代无线互连和移动网络RF解决方案的无晶圆厂半导体制造商RFaxis一直依靠独特且创新的CMOS RFeIC架构和完整的技术，坚持使用CMOS技术来实现RF芯片解决方案。 RFaxis已被包括高通在内的许多物联网设备供应商广泛认可。
Biagan指出，传统的GaAs材料难以精制，从而导致高昂的生产和设计成本，而CMOS的硅材料可广泛用于土壤，沙子和石头，并具有大规模生产的可能性，因此价格昂贵具有固有的优势。以RFaxis的纯CMOS芯片为例，在性能可与GaAs产品相媲美的前提下，它可以减少一半以上的制造和测试成本。
与竞争对手相比GaAs和BiCMOS解决方案，RFaxis＆＃39;纯CMOS RF解决方案在更小的封装尺寸，更低的功耗和高性能方面具有出色的性能。此外，CMOS材料还主导着驱动和运行RF芯片的功耗。
GaAs和SiGe RF芯片基于工艺和材料特性。必须至少打开2.6V的电源才能驱动，并且必须提供3.3V或5V的电压才能连续运行。
相反，CMOS仅需要1.2V驱动电压和2.4V工作电压。在系统电流相等的前提下，节电效益高达30-40％，大大提高了RF芯片的传输效率和线性度。
在集成方面，CMOS RF芯片还完成了一项颠覆性计划。过去，RF前端模块由多个分立电路组成，例如增加传输距离的概率放大器，优化接收灵敏度的低噪声放大器以及天线开关。
RFaxis＆＃39; RFeIC体系结构可以将这些关键功能设备整合到纯CMOS单芯片中，这是工程师们为争取更大的设计空间来满足IoT设备RF芯片的小尺寸要求而设计的。 RFaxis＆＃39; RFeIC产品覆盖2.4 GHz至5 GHz频带，并且可以支持各种无线标准，包括蓝牙，Zigbee，WLAN，802.11n / MIMO，WiMAX，WHD和各种移动通信标准。
现在看来，CMOS RF芯片确实具有GaAs和SiGe无法比拟的许多优势。 RFaxis坚持以其独特的眼光和坚定不移的毅力走在这条道路上，并走在了行业的最前沿。
RFaxis对此不满意。 Biagan强调，＆ldquo;我们正在积极推动CMOS RFeIC解决方案在全球市场的覆盖。
为此，我们将与亚太地区最大的电子元器件分销商世界和平集团合作；另一方面，RFaxis还将在台北增设FAE实验室，以便为亚太地区广大设计界提供更及时，更高效的支持，以实现低成本的物联网应用解决方案。 ＆amp; rdquo; Biagan还透露，RFaxis将于2014年第四季度推出使用纳米技术的一系列RF前端产品-最初的设备Nucleus 4-Nucleus。