8月5日消息据中央电视台今日报道,第十八届中国国际数字互动娱乐展览会(以下简称“ ChinaJoy 2020”)近日在上海成功举办。在5G技术的推动下,数字娱乐可能会成为未来几年数字娱乐非常重要的发展方向,而云游戏也已成为业界的最新趋势。
主要参展商还表示,他们将从社会上招聘各种相关职位。据了解,ChinaJoy 2020将于7月31日至8月3日在上海新国际博览中心的10个展厅举行,共有约400家参展公司。
今年,ChinaJoy新开放了一个5G云游戏主题展示区和一个二维游戏主题展示区。 ChinaJoy 2020将带来全球一千多款顶级游戏杰作,四万多款游戏体验机以及数字娱乐,智能娱乐软件和硬件产品。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
- 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
- 五向开关DC12(V)0.05(A):应用与技术参数 五向开关DC12(V)0.05(A)是一种电子元件,它在电路设计和设备控制中发挥着重要作用。这种开关通常用于需要控制多个方向或功能的应用场景,例如遥控器、游戏控制器或是小型电子设备的导航按钮等。五向开关能够提供上、...
- G.G吊挂式2孔单排防水按钮台P02D1:可靠的选择 G.G吊挂式2孔单排防水按钮台P02D1是一款专为需要在潮湿或易受水溅环境中操作设备而设计的产品。这款按钮台采用高质量的防水材料制成,确保了即使在恶劣环境下也能正常工作。其设计简洁实用,安装方式简便快捷,通过吊挂...
- 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
- 2.4G/WiFi/蓝牙双极天线与蓝牙5.2双模芯片:智能设备通信新引擎 引言:无线连接技术的演进随着物联网(IoT)和智能终端设备的普及,对高效、稳定、低功耗的无线通信方案需求日益增长。2.4G/WiFi/蓝牙双极天线配合蓝牙5.2与Wi-Fi双模芯片,正成为新一代智能设备的核心通信组件。一、双极天...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 从0.6X0.3mm到0.8X0.8mm:深入对比两种Chip SMD封装规格 Chip SMD-0.6X0.3mm 与 0.8X0.8mm 封装性能对比在电子元器件选型中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 0.8X0.8mm 是两种极具代表性的超小型封装形式。它们虽同属表面贴装技术,但在尺寸、应用场景及制造难度上存在明显差异。1. 尺寸与物理特性对比 参...
- 铜的电阻温度系数约为0.004/°C 铜是一种常用的导电材料,因其良好的导电性能和相对较低的成本,在电气工程中被广泛应用。铜的电阻温度系数(temperature coefficient of resistance),是指在特定温度范围内,温度每变化1度时,其电阻值相对于基准温度(通常是2...
- 为什么在零状态条件下,电容在t=0+时可视为短路? 在电路分析中,特别是在讨论暂态响应时,我们会遇到零状态条件下的电容。所谓零状态,是指初始时刻电容两端的电压为零。当考虑电路在施加输入信号的瞬间(即t=0+时),电容由于其存储电荷的能力,在这一时刻可以被视为...
- 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
- 压力开关PSF100A-0.5:高精度与可靠性的工业解决方案 压力开关PSF100A-0.5是一款精密设备,用于监测和控制各种工业应用中的压力水平。这款产品以其高精度和可靠性而著称,适用于多种环境条件下使用。PSF100A-0.5的设计使其能够精确地检测到最小的压力变化,并及时作出反应。这种...
- RKJXP1224002:一款专为PS3设计,兼具实用性的游戏手柄 索尼PS3和任天堂Wii作为上一代游戏主机的经典代表,各自拥有一大批忠实粉丝。在游戏体验方面,除了主机本身的功能与性能之外,手柄的重要性也不言而喻。RKJXP1224002是适用于PS3的一款游戏手柄,其采用了经典的设计布局,拥...
- 深度剖析0.5A低Rds(on) MOS管与DIODESTAR二极管在节能电源中的技术融合 背景:能效标准推动器件革新随着全球对节能减排的日益重视,各国相继出台更严格的电源能效规范,如欧盟ErP指令、美国DOE Level VI标准。在此背景下,传统二极管整流方式因导通损耗大而逐渐被同步整流技术取代。以DIODESTAR PF...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- SMD芯片封装技术解析:0.6X0.3mm与1.6X0.8mm尺寸的性能对比与应用优势 引言随着电子设备向小型化、高集成度方向发展,表面贴装器件(SMD)在现代电路设计中扮演着至关重要的角色。其中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 Chip SMD-1.6X0.8mm 是两种广泛应用的微型封装类型。本文将从尺寸、电气性能、应用场景及制...
- HELI2直角LED灯珠2.1X0.6mm与SMD-2.0X1.2mm LED灯珠性能对比及应用场景解析 HELI2直角LED灯珠2.1X0.6mm与SMD-2.0X1.2mm灯珠核心参数对比在现代电子设备中,LED灯珠作为关键的发光元件,其尺寸、封装形式和电气特性直接影响产品的设计灵活性与能效表现。本文将深入分析两款主流微型LED灯珠:HELI2直角型2.1X0.6...
- PT100热电阻在0至140摄氏度范围内的温度-电阻对照表 在PT100热电阻的应用中,了解其在不同温度下的电阻值对于精确测量至关重要。以下是在0至140摄氏度范围内,PT100热电阻的温度与电阻值之间的对照关系:| 温度(℃) | 电阻值(Ω) ||---------|-----------|| 0 | 100.00 || 20 | 107.80 ...
- 深度解析:蓝牙5.2与双模芯片如何赋能下一代智能终端 核心驱动力:从单一连接到多协议协同传统智能设备常受限于单一通信协议,导致功能割裂。而蓝牙5.2与Wi-Fi双模芯片的融合,打破了这一瓶颈,使设备能够在不同网络环境下动态选择最优连接方式,真正实现“万物互联”。一、...