在工作过程中,公共晶闸管T与电源和负载连接,构成普通晶闸管的主电路。公共晶闸管的栅极G和阴极K与用于控制普通晶闸管的装置连接,以形成普通晶闸管的控制。
电路。普通晶闸管的工作条件:1。
当普通晶闸管经受反向阳极电压时,普通晶闸管处于截止状态,而不管栅极所经受的电压如何。 2.当普通晶闸管受到正向阳极电压时,普通晶闸管仅在栅极经受正向电压时导通。
3.在普通晶闸管的情况下,只要存在一定的正阳极电压,无论栅极电压如何,普通晶闸管都保持导通,即在普通晶闸管导通后,栅极失效。 4.当正常晶闸管导通时,当主电路电压(或电流)降至接近零时,普通晶闸管关闭。
1. UDRM:断态重复峰值电压晶闸管耐压值。普通晶闸管UDRM为100V --- 3000V 2. URRM:反向重复峰值电压当控制极断开时,可以重复作用在晶闸管上的反向重复电压。
普通晶闸管通常采用100V至3000V的URRM。 3. ITAV:通态平均电流环境温度为40.在C中,晶闸管在电阻性负载,单相工频正弦半波和电路中允许的最大通态平均电流导通角不小于170o。
普通晶闸管ITAV为1A --- 1000A。 4. UTAV:通态平均电压管电压降。
当正弦半波平均电流在特定条件下通过时,晶闸管的正极和负极之间的电压的平均值。通常约1V。
5. IH:最小保持电流在栅极打开并且晶闸管被触发在室温下导通之后维持导通状态所需的最小电流。通常为数十至超过100毫安。
6. UG,IG:控制电极触发电压和电流在室温下,阳极电压为6V DC,使晶闸管完全打开所需的最小控制极直流电压和电流。通常,UG为1~5V,IG为数十至数百毫安。
普通晶闸管的主要缺点是:过流和过压。普通晶闸管的热容量很小:一旦过流,温度急剧上升,器件烧坏。
普通晶闸管承受过电压的能力极差:当电压超过其反向击穿电压时,即使时间极短也容易损坏。当正向电压超过转动电压时,将发生误导,并且导通后的电流大,这可能损坏器件。
一,过流保护措施快速熔断:在电路中加一个快速熔断器。过流继电器:直流过流继电器在输出端串联。
过流截止电路:利用电流反馈降低普通晶闸管的导通角或停止触发,从而切断过流电路。二,过压保护电阻容量吸收:利用电容吸收过压。
过电压的能量被转换成电场能量并存储在电容器中,然后由电阻器消耗。硒整流反应器:硒反应器是一种非线性元件,在过电压后迅速分解,其电阻降低,抑制了超压冲击。
在高电压通过之后,硒堆可以恢复到击穿之前的状态。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: ys@jepsun.com
产品经理: 汤经理
QQ: 2057469664
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 突崩晶体管与普通晶体管的核心区别解析 突崩晶体管与普通晶体管的核心区别解析在现代电子电路设计中,晶体管作为核心的半导体器件,其种类繁多,性能各异。其中,突崩晶体管(也称雪崩晶体管)与普通晶体管在工作原理、应用场景和电气特性上存在显著差异。...
- 达林顿晶体管与普通晶体管性能对比及实际应用指南 达林顿晶体管与普通晶体管性能对比及实际应用指南达林顿晶体管(Darlington Transistor)是一种由两个晶体管级联构成的复合结构,常用于需要极高电流增益的应用中。与普通晶体管相比,它在电流放大能力、驱动能力和输入阻抗...
- 突崩晶体管与普通晶体管对比:从结构到性能的全面解析 引言:为什么需要关注突崩晶体管?在现代电子系统中,晶体管作为最基本的构建单元,其性能直接影响整个系统的效率与稳定性。传统晶体管(如双极型晶体管BJT、金属氧化物半导体场效应管MOSFET)已广泛应用于消费电子、工...
- 达灵顿晶体管与普通晶体管性能对比:全面解析其应用优势 达灵顿晶体管与普通晶体管性能对比:全面解析其应用优势在现代电子电路设计中,晶体管作为核心的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、信号驱动、电机控制等领域。其中,达灵顿晶体管(Darlington Transistor)与普通晶体管...
- 达林顿晶体管与普通晶体管选型指南:如何正确匹配电路需求? 达林顿晶体管与普通晶体管选型指南:如何正确匹配电路需求?在电子工程实践中,正确选择晶体管类型是确保电路稳定性和效率的关键。面对达林顿晶体管与普通晶体管之间的选择,工程师常面临困惑。本篇文章将从实际应用...
- 深入对比:光电晶体管与普通晶体管的性能差异与选型建议 深入对比:光电晶体管与普通晶体管的性能差异与选型建议在电子系统设计中,正确选择晶体管类型至关重要。光电晶体管与普通晶体管虽然同属半导体三极管范畴,但在结构、功能和应用场景上存在显著差异。以下从多个维度...
- TSS二极管晶闸管浪涌抑制器应用与优势 在电力系统和电子设备中,电压瞬变和浪涌是常见的问题,它们可能对敏感的电子元件造成严重损害。TSS(Transient Suppression Semiconductor)二极管晶闸管浪涌抑制器是一种高效保护装置,用于防止此类瞬变现象对电路造成的损害。...
- 贴片晶振与普通晶振对比:哪个更适合你的电子设备? 贴片晶振与普通晶振的全面对比分析在现代电子设备设计中,晶振(晶体振荡器)是确保系统时钟稳定运行的关键元件。随着电子产品向小型化、高集成度方向发展,贴片晶振逐渐成为主流选择。然而,传统普通晶振依然在部分...
- TSS二极管晶闸管浪涌抑制器工作原理与应用解析 TSS二极管晶闸管浪涌抑制器概述在现代电子系统中,浪涌电压(Surge Voltage)是导致设备损坏的重要因素之一。TSS(Transient Suppression Semiconductor)二极管晶闸管浪涌抑制器作为一种高效、快速响应的过压保护器件,广泛应用于电源...
- 贴片晶振好还是普通晶振好?深度解析技术差异与选型建议 贴片晶振与普通晶振的技术差异与选型指南在电子元器件选型过程中,晶振的选择直接影响到整个系统的稳定性和可靠性。面对市场上琳琅满目的贴片晶振与普通晶振,许多工程师常陷入“到底哪个更好”的困惑。本文将从技术...
- 晶闸管浪涌抑制器与TVS二极管的协同防护机制研究 晶闸管浪涌抑制器的技术原理晶闸管浪涌抑制器(Thyristor Surge Suppressor, TSS)是一种利用晶闸管(SCR)结构实现瞬态过电压抑制的半导体器件。其核心工作原理是:当检测到电压超过预设阈值时,晶闸管迅速导通,将大电流短路至...
- 闸极驱动器晶体管工作原理及应用 闸极驱动器晶体管是一种专门用于控制其他晶体管或电子开关的装置,它在电力电子、电机控制以及各种数字和模拟电路中扮演着重要角色。其核心功能是通过控制信号(通常是电压)来开启或关闭主电路中的电流,从而实现对...
- 闸极驱动器晶体管的工作原理与应用解析 闸极驱动器晶体管的基本概念闸极驱动器晶体管(Gate Driver Transistor)是电力电子系统中的关键组件,主要用于控制大功率开关器件(如MOSFET、IGBT)的导通与关断。其核心功能是将低电压、小电流的控制信号放大为足以驱动大功率...
- 深入理解闸极驱动器晶体管的设计与选型要点 闸极驱动器晶体管的核心技术参数在实际工程中,正确选择闸极驱动器晶体管需综合考虑多个关键参数,以确保系统的稳定性与效率。关键选型指标分析1. 驱动能力(峰值电流): 驱动器必须能够提供足够的栅极驱动电流(通常...
- 晶闸管浪涌抑制器的工作机制与选型建议 晶闸管浪涌抑制器的核心机制晶闸管(Thyristor)作为大功率开关器件,被集成于浪涌抑制器中,用于在过压条件下实现快速短路导通,从而保护敏感电子设备。其工作原理基于可控导通特性,通过门极触发电流启动导通,一旦导...
- 闸极驱动器晶体管在继电器控制中的关键作用解析 闸极驱动器晶体管在继电器控制中的核心功能在现代电子控制系统中,闸极驱动器晶体管(Gate Driver Transistor)扮演着至关重要的角色,尤其在驱动高功率继电器时。其主要作用是将微控制器或逻辑电路输出的低电流信号放大为足...
- 从基础到进阶:深入理解双极晶体管与高压晶体管的设计要点 双极晶体管设计的关键参数解析在设计基于双极晶体管的电路时,必须关注多个关键电气参数,以确保系统稳定性和可靠性。核心参数说明电流增益(β或hFE):反映基极电流对集电极电流的控制能力,理想值应大于100,但受温度...
- 突崩晶体管原理与应用:突破传统晶体管性能瓶颈的新技术 突崩晶体管的基本原理突崩晶体管(也称雪崩晶体管或Avalanche Transistor)是一种基于雪崩击穿效应工作的半导体器件,其核心工作原理是利用高反向电压下产生的雪崩击穿现象来实现电流的快速放大。与普通晶体管依赖基极电流控...
- LED驱动器晶体管选型与双极晶体管驱动设计详解 LED驱动器晶体管选型与双极晶体管驱动设计详解在现代电子系统中,LED作为高效、低功耗的光源被广泛应用。为了实现对LED的稳定驱动,选择合适的驱动晶体管至关重要。其中,双极结型晶体管(BJT)因其成本低、控制简单等优...
- 继电驱动器晶体管与LED驱动器晶体管的原理及应用对比分析 继电驱动器晶体管与LED驱动器晶体管的核心区别在现代电子系统中,晶体管作为关键的开关元件,广泛应用于继电驱动和LED驱动场景。尽管两者都依赖于晶体管的导通与截止特性,但其工作环境、负载类型和驱动要求存在显著差...