Iao Technology的拆解显示：iPhone 12和iPhone 12 Pro使用相同的电池

目前，对IAO技术的拆除表明，Apple iPhone 12和iPhone 12 Pro使用相同型号和容量的2815mAh电池。据了解，与去年相比，苹果在iPhone 12系列中使用的电池容量更小。
‌iPhone 11‌ Pro的电池容量为3046mAh，iPhone 11 Pro Max的电池容量为3969mAh。国外媒体MacRumors指出，“ iPhone 12”和“ iPhone 12 Pro”的内部基本具有相同的L形逻辑板，“ iPhone 12 Pro”还为LiDAR扫描仪配备了一个额外的LiDAR连接器。
此前，巴西监管文件显示，iPhone 12 mini的电池容量为2227mAh，而iPhone 12使用的是2815mAh电池，比iPhone 11的3110mAh电池要小。此信息来自巴西国家电信局ANATEL，该公司对新的电子设备进行了认证。
Apple iPhone 12和iPhone 12 Pro于10月14日正式发布。此外，“ iPhone 12”和“ iPhone 12 Pro”内部使用相同的2815mAh电池，这也解释了为什么两个型号的电池寿命相同。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: momo@jepsun.com

产品经理: 李经理

QQ: 2215069954

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题，它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先，我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
欧璐O-墙壁开关：简约设计与实用功能的完美结合欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品，特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式，意味着一个开关可以控制多个电器的电源，不仅节省了安装空间，还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
30V互补对N+P MOS管在现代电子设备中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是不可或缺的组件之一，广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管，它在高压应用中表现尤为突出，能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET（NMOS）和P沟道MOSFET（PMOS）两种晶体管的互补特性，从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析在高压电力电子设备中，MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管，它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南在电子设计领域，特别是在电源管理和电机控制等应用中，选择合适的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能，在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
高精密贴片电阻阻值表标准阻值表E-96 0603F(+1%) Standard Resistance Table 标准阻值表1 E-96 阻值代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值代码 10 01X 100 01A 1.00K 01B 10.0K 01C 100K 01D 1M 01E 10.2 02X 102 02A 1.02K 02B 10.2K 02C 102K 02D 10.5 03X 105 03A 1.05K 03B 10.5K 03C 105K 03D 10.7 04X 107 04A 1.07K 04B 10.7K 04C 107K 04D 11 05...
H桥电路中使用BJT晶体管的优势与应用在现代电子工程领域，H桥电路因其能够实现电机的双向控制而被广泛应用，尤其是在电动车辆、机器人技术和自动化系统中。H桥电路的核心在于其四个开关元件，它们可以是MOSFET、IGBT或BJT等，其中BJT（双极型晶体管）作为一种...
JMV-E积层压敏电阻技术参数与应用领域详解积层压敏电阻（JMV-E）是一种广泛应用于电子设备中的关键保护元件，其主要功能是为电路提供过电压保护，防止瞬态电压对敏感电子元件造成损害。在现代电子产品中，瞬态电压可能来源于雷击、电源波动或电路开关等现象，这...
N沟道MOS管100V+参数及应用详解在电子设计和电路开发中，N沟道MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种非常重要的元件，特别是在需要高电压处理能力的应用场景下，如电源管理和电机控制等。对于一款标称能够承受100V以上的N沟道MOS管来说，了...
功率电阻TR50-H TO220 50W参数及应用详解在电子设备和电力系统中，功率电阻起着至关重要的作用，尤其是在需要消耗或测量高功率的应用场景下。今天，我们将聚焦于一款常见的功率电阻——TR50-H TO220 50W，这款电阻以其优良的性能和广泛的应用领域而受到工程师们的...
N沟道30V MOS管参数及应用实例详解在电子设计和电力电子系统中，MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）是一种非常重要的半导体器件。特别是N沟道30V MOS管，在低压和中压电力转换应用中有着广泛的应用。这类MOS管因其低导通电阻、高速开关性能以及易于驱动等特性...
JMV-N积层压敏电阻的应用与特性详解积层压敏电阻（Multilayer Varistor, MLV），特别是型号为JMV-N的产品，在电子设备中扮演着重要的角色，主要用于过电压保护。这类器件以其小巧的体积、高效的保护性能和良好的热稳定性而受到广泛欢迎。下面将详细介绍JMV-N积层压...
P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（P-MOSFET）是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性，与N沟道MOS管相比，P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
MOS管H桥MOSFET工作原理及应用在电子工程领域，特别是电机控制、机器人技术以及直流电机调速系统中，MOS管H桥（MOSFET H-bridge）是一种非常常见的电路结构。MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为开关元件，在H桥电路中起到关键作用，能够实现电流的...
N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的场效应晶体管，其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用，从消费电子产品到工业控制系统，乃至最新的计算机芯片技...
P沟道MOS管100V参数及应用领域在电力电子和模拟电路设计中，P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件，尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特，这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
P沟道MOS管30V参数及应用实例在电子工程领域中，P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中，电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能，在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...
400V N沟道MOS管应用及选型指南在电力电子设备中，N沟道MOS管因其低导通电阻、高速开关性能和高效率而被广泛应用。尤其对于需要承受400V电压的应用场景，选择合适的N沟道MOS管至关重要。本文将探讨如何为您的项目选择适合的400V N沟道MOS管，并提供一些关...
40-300V N沟道MOSFET选型指南在电子设计中，选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET，包括...