宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州— 2020年12月15日—日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布已推出一种满足AEC-Q101 --- SQJ264EP要求的N沟道60 V MOSFET，该器件使用PowerPAK＆reg;非对称SO-8L业界首款采用两芯片封装的此类器件。
新型Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业的需求，以节省空间并提高DC / DC开关模式电源的效率。
这款新器件在5mm x 6mm紧凑型封装中集成了高端和低端MOSFET。
低端MOSFET的最大导通电阻低至8.6 mW。
与单个MOSFET解决方案相比，通过封装两个TrenchFET采用非对称封装的MOSFET，今天发布的汽车级器件减少了组件数量和电路板空间要求，同时提高了功率密度。
此外，在管芯尺寸方面，其控制（高端）和同步（低端）MOSFET的优化组合可在占空比小于50％的功率转换中提供比对称双器件更高的效率。
SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时的最大导通电阻为20 mW，典型的栅极电荷为9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V时具有的导通电阻为8.6 mW，典型的栅极电荷为19.2。
nC。
由于没有内部连接的开关节点，因此SQJ264EP为设计人员提供了灵活性，使其可以在不同拓扑中配置晶体管，包括同步降压或同步升压DC / DC转换器。
由于它可以在超过+ 175°C的高温环境下工作，因此双MOSFET可以提供信息娱乐系统，显示器，LED照明和电动自行车等汽车应用所需的耐用性和可靠性。
此外，与QFN单封装和双封装相比，SQJ264EP的鸥翼式引线可在其引脚下实现更好的焊料流动，增强了自动光学检查（AOI）功能，并具有更高的板级可靠性。
这些MOSFET已通过Rg和UIS测试100％，符合RoHS要求，并且不含卤素。
SQJ264EP样品和批量产品现已上市，批量订单的交货期为12周。
