在以下内容中,编辑器将在Inzon RTX 3070 Ice Dragon Super Edition图形卡上进行4K游戏性能+光线追踪评估。如果您对Inzon RTX 3070 Ice Dragon Super Edition图形卡及其性能感兴趣,则可以继续。
接下来阅读。 RTX 3070 Ice Dragon Super Edition的散热配置采用6 + 1个热管的组合,其中6个热管采用密集压力直接接触工艺,每个热管都与GPU紧密接触。
此外,还有一个为电源模块单独设计的热管,配有一个小侧风扇,用于图形卡的三维散热。主散热部分使用三个92毫米镰刀形风扇叶片进行散热,除了提供强劲的风量外,还可以有效控制噪音。
在评估的这一部分中,已选择了支持实时光线追踪的三个3A杰作。 “地铁:出埃及记”是要启用“超品质”,而“古墓丽影:暗影”和“看门狗:军团”是开放的。
预设最高的图像质量,并且两个游戏都将实时光线追踪打开为“高”。并打开DLSS。
可以看出,Inzhong GeForce RTX 3090 Ice Dragon Super Edition的游戏性能可以完全满足2K分辨率的游戏环境,并且大多数4K分辨率也是可以播放的。当然,对于最新的“看门狗:军团”, 3A杰作的性能几乎相同,但是有了DLSS技术的支持,它可以平稳运行,并且光线跟踪效果仍处于打开状态。
以上是编辑器这次带来的所有内容。非常感谢您的耐心阅读。
如果您想了解更多相关内容或更多精彩内容,请关注我们的网站。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- 欧姆龙E2E-X3D1-N-Z接近开关:工业自动化领域的高效解决方案 欧姆龙的E2E-X3D1-N-Z是一款高性能的接近开关,广泛应用于工业自动化领域。这款接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到金属物体的存在或接近,从而实现对机械设备的精确控制。它具有较高的检测精...
- 深入解析:0-40V N MOS vs PMV0402-5R0E100 与 PVR10D 的电气特性差异 核心差异:从电气参数看技术定位在实际工程应用中,仅看“电压范围”不足以判断器件优劣。以下从关键电气参数出发,深度剖析三款产品的本质区别。一、关键参数对比表 参数 0-40V N MOS PVR10D PMV0402-5R0E100 最大...
- 深入解析:如何根据系统需求选择合适的N MOSFET?40-300V vs 0-40V 为什么不同耐压范围的N MOSFET适用于不同领域?在现代电子系统中,正确选型N MOSFET是保障系统稳定性与效率的关键。本文以40-300V与0-40V两个典型范围为例,深入剖析其技术差异与选型逻辑。1. 工作电压决定耐压选型系统输入电压...
- 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...
- OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
- 符合GB/T标准的讯号切换器性能评估与选型指南 GB/T标准下讯号切换器的质量保障体系在中国,符合国家标准GB/T系列规范的讯号切换器需通过严格的电磁兼容性(EMC)、安全性、环境适应性等多项检测。这些标准不仅确保产品可靠性,也为企业采购提供明确的技术依据。1. 关键...
- 意大利SIRAI A225-7/N液位开关:高性能与可靠性的典范 意大利SIRAI生产的液位开关是一种高质量的工业设备,被广泛应用于各种液体的检测与控制。其中,型号为A225-7/N的液位开关尤其受到用户的青睐。这款液位开关以其卓越的性能和可靠性著称,在工业自动化领域扮演着重要角色。...
- 从0.6X0.3mm到0.8X0.8mm:深入对比两种Chip SMD封装规格 Chip SMD-0.6X0.3mm 与 0.8X0.8mm 封装性能对比在电子元器件选型中,Chip SMD-0.6X0.3mm 和 0.8X0.8mm 是两种极具代表性的超小型封装形式。它们虽同属表面贴装技术,但在尺寸、应用场景及制造难度上存在明显差异。1. 尺寸与物理特性对比 参...
- MOS管H桥系统中如何正确选型:硅基与GaN MOSFET综合评估指南 前言:选型决策的关键因素在设计或升级一个基于MOS管的H桥系统时,器件选型是决定系统性能、能效与寿命的核心环节。面对硅基MOSFET与新兴的GaN MOSFET,工程师必须全面权衡技术参数、成本、可靠性与系统兼容性。本篇文章将从...
- 万用表测电阻显示0.L的原因解析 当使用万用表测量电阻时,如果显示屏上出现“0.L”的读数,这通常意味着被测电阻值小于万用表能够准确显示的最小值。具体来说,“0.L”中的“L”代表低(Low)的意思,表示电阻值过低以至于超出了当前量程设置下的分辨率...
- 色环电阻计算器安卓版v2.0:便捷的电子元件值查询工具 色环电阻计算器安卓版v2.0是一款专为电子爱好者和工程师设计的应用程序,旨在简化电阻值的识别过程。这款应用通过模拟传统的四色环、五色环及六色环电阻器,让用户能够轻松输入色环颜色以获取对应的电阻值。它支持多种...
- PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
- 万用表测电阻显示为0的可能原因及解决方法 当使用万用表测量电阻时,如果显示屏上显示为0,这通常意味着存在以下几种情况之一:1. 短路:被测电阻器内部或其连接线路可能存在短路。这意味着电阻值非常低,接近于零。2. 万用表设置错误:检查万用表是否正确设置在...
- 数字万用表测量电容显示0的原因及解决方法 当使用数字万用表测量电容时,如果显示屏上显示0,可能的原因有以下几种:1. 电容已损坏:如果电容内部发生短路或开路故障,万用表将无法正确测量其电容值。2. 测量范围选择不当:数字万用表通常有多个电容测量范围,如...