晶闸管将是以下内容的主要介绍对象。
通过这篇文章，编辑希望所有人都能了解和理解晶闸管，MOS控制晶闸管的工作原理以及关断晶闸管的相关条件。
详情如下。
1.晶闸管的工作原理首先，让我们了解下晶闸管的工作原理。
在晶闸管工作过程中，其阳极（A）和阴极（K）与电源和负载相连，构成晶闸管的主电路。
晶闸管的栅极G和阴极K与用于控制晶闸管的装置连接以形成晶闸管的控制电路。
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晶闸管是一种半控功率电子器件，其工作条件如下：1.当晶闸管承受反向阳极电压时，无论栅极承受什么电压，晶闸管都处于反向阻断状态。
2.当晶闸管受到正阳极电压时，晶闸管仅在栅极受到正电压时才导通。
此时，晶闸管处于正向导通状态，这是晶闸管的晶闸管特性，即可控特性。
3.当晶闸管导通时，只要存在一定的阳极正电压，无论栅极电压如何，晶闸管都会保持导通状态，即晶闸管导通后，栅极将失去其功能。
门仅用作触发器。
4.当晶闸管导通时，当主电路电压（或电流）减小至接近于零时，晶闸管关断。
2. MOS控制晶闸管在了解晶闸管的一般工作原理之后，让我们看一下MOS控制晶闸管。
MOS栅极控制晶闸管充分利用了晶闸管的良好导通特性，出色的导通和截止特性，并有望具有出色的自关断动态特性，导通压降非常低和高耐压性。
它将成为未来的电力设备。
电力系统中有希望的高压和大功率设备。
目前，世界上有十几家公司正在积极进行MCT研究。
MOS栅极控制晶闸管主要具有三种结构：MOS场控晶闸管（MCT），基极电阻控制晶闸管（BRT）和发射极开关晶闸管（EST）。
MCT（MOS控制晶闸管）是一种新型的MOS和双极复合器件。
它使用集成电路技术以普通晶闸管结构制造大量MOS器件。
晶闸管的导通和截止由MOS器件的导通和截止控制。
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MCT不仅具有良好的晶闸管关断和导通特性，而且具有MOS FET的输入阻抗高，驱动功率低，开关速度快的优点。
它克服了晶闸管的慢速，无法关断以及高压MOS FET导通的问题。
压降不足。
因此，MCT被认为是一种具有广阔发展前景的新型功率器件。
MCT器件的最大关断电流已达到300A，最大阻断电压为3KV，关断电流密度为325A / cm2，并且已经试制了由12个并联的MCT组成的模块。
三，栅极关断（GTO）晶闸管在了解了MOS控制晶闸管之后，让我们看一下栅极电平关断晶闸管的相关内容。
GTO（关断晶闸管）也称为门控晶闸管。
其主要特点是，当向电网施加负触发信号时，晶闸管可自行关断。
在栅极的正信号触发普通晶闸管（SCR）之后，即使移除信号，也可以保持ON状态。
要关闭电源，必须切断电源，以使正向电流低于保持电流IH，或者施加反向电压以关断。
这就需要增加一个换向电路，这不仅增加了设备的体积和重量，而且降低了效率，从而导致波形失真和噪声。
截止晶闸管克服了上述缺陷。
它不仅保留了普通晶闸管的优点，例如耐高压和大电流，而且具有自动关断功能，易于使用。
它是理想的高压大电流开关设备。
GTO的容量和使用寿命超过了巨型晶体管（GTR），但工作频率低于GTR。
目前，GTO已达到4500A和6000V的容量。
大功率关断晶闸管已广泛应用于斩波调速，变频调速，逆变电源等领域，具有很强的生命力。
截止晶闸管也是PNPN四层三端器件，其结构与等效
