AMD谈论Zen4,Zen5架构:使用台积电的5nm工艺64核将不是限制

在CES2021特别活动今天凌晨结束后,AMD首席执行官苏子峰博士与来自媒体的朋友进行了在线交流。在交流中,苏博士谈到了CPU规划。
她说,她为CPU团队感到骄傲,其中包括首席技术官MarkPapermaster,首席架构师Mike Clark等,他们为公司制定了长期而坚实的产品路线图。 Su博士肯定了Zen3架构,特别是通过改善单线程,缓存延迟,整体系统优化等来使性能提高20%以上,并表示该公司正在为Zen4,Zen5架构投入更多精力,以确保具有很强的竞争力。
苏博士还指出,64核将不是极限,AMD将朝着更多的核迈进。至于GPU,她还称赞了由王启尚(David Wang)领导的团队。
RDNA2非常出色,特别是在每瓦性能方面。 RDNA3正在全面开发,以达到行业领先水平。
对于Zen4,我们知道它将使用TSMC的5nm工艺,而消费级的Ryzen将取代AM5接口。显然,更改接口实际上为更多内核奠定了基础。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 欧姆龙E2E-X3D1-N-Z接近开关:工业自动化领域的高效解决方案 欧姆龙的E2E-X3D1-N-Z是一款高性能的接近开关,广泛应用于工业自动化领域。这款接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到金属物体的存在或接近,从而实现对机械设备的精确控制。它具有较高的检测精...
  • OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • Elprocus 的 4、5、6 波段电阻颜色代码计算器 众所周知,电阻器是一个基本元件,我们可以在任何电子电路中找到它。电阻器的电阻值取决于它所使用的应用类型。尽管当今市场上有先进的电阻测量设备,但电阻器的颜色代码系统总是使我们能够轻松读取和识别其电阻值。...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • LJ30A3-4-Z-BX接近开关:性能特点与应用 LJ30A3-4-Z-BX接近开关是一款高性能的感应式接近传感器,广泛应用于自动化控制领域。这种接近开关采用先进的传感技术,能够在无需直接接触目标物体的情况下检测其存在,从而实现非接触式的物体检测和控制。它适用于金属物...
  • 现货接近开关LJ12A3-4-Z/DX:高灵敏度与可靠性的工业应用选择 现货接近开关LJ12A3-4-Z/DX是一款广泛应用在工业自动化领域的传感器。该型号的接近开关具有较高的灵敏度和可靠性,能够在各种恶劣环境下稳定工作。它主要通过感应金属物体的距离来进行检测,无需与目标物直接接触,从而减...
  • LJ12A3-4-Z/BX接近开关:工业自动化中的精密传感解决方案 LJ12A3-4-Z/BX接近开关是一款广泛应用于工业自动化领域的传感器。这款接近开关具有非接触式检测的特点,能够实现对金属物体的精确识别与定位,而不会产生机械磨损,从而大大提高了设备的稳定性和使用寿命。该型号接近开关...
  • P沟道MOS管与N沟道MOS管的核心差异解析:结构、工作原理与应用对比 P沟道MOS管与N沟道MOS管的基本概念MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现代电子电路中不可或缺的元件,根据导电沟道类型不同,可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)以空穴为多数载流子,而N沟道MOS管(NMO...
  • JMV-N积层压敏电阻的应用与特性详解 积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV),特别是型号为JMV-N的产品,在电子设备中扮演着重要的角色,主要用于过电压保护。这类器件以其小巧的体积、高效的保护性能和良好的热稳定性而受到广泛欢迎。下面将详细介绍JMV-N积层压...
  • JMV-N积层压敏电阻的性能优势与应用解析 JMV-N积层压敏电阻的核心特性JMV-N积层压敏电阻是一种高性能的电子元件,广泛应用于电路保护领域。其核心优势在于采用先进的积层结构设计,实现了更高的能量吸收能力与更稳定的电压响应特性。1. 高可靠性与长寿命JMV-N系列...
  • 积层压敏电阻JMV-N的技术原理与发展前景 积层压敏电阻的工作原理积层压敏电阻(MLV,Multilayer Varistor)基于非线性电阻材料(如氧化锌)构成,其阻值随外加电压变化而剧烈改变。当电压低于阈值时,呈现高阻态;一旦超过启动电压,立即转入低阻状态,实现过压钳位...
  • JMV-E积层压敏电阻技术解析:高性能电子防护的核心组件 JMV-E积层压敏电阻概述JMV-E积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV)是一种基于陶瓷材料的先进压敏元件,广泛应用于现代电子设备中,用于过电压保护和浪涌抑制。其核心优势在于高可靠性、快速响应时间以及优异的耐冲击能力。核...
  • N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
  • N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • 当您的5频段电阻器不是5频段电阻器时 我时不时地会问一个关于5频段电阻器的问题,该电阻没有进入5频段计算器我们在Digi-Key网站上。这里有一个例子。无论蓝色还是黑色是第一行,频段都不会正确输入5频段计算器。该电阻确实可以在4频段计算器中工作 。蓝...
  • JMV-E积层压敏电阻技术参数与应用领域详解 积层压敏电阻(JMV-E)是一种广泛应用于电子设备中的关键保护元件,其主要功能是为电路提供过电压保护,防止瞬态电压对敏感电子元件造成损害。在现代电子产品中,瞬态电压可能来源于雷击、电源波动或电路开关等现象,这...
  • N沟道MOS管工作原理与应用解析:从基础到实际电路设计 N沟道MOS管基本结构与工作原理N沟道MOS管(N-channel MOSFET)是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的一种,其核心特点是在栅极施加正电压时,可在源极和漏极之间形成导电沟道,从而实现电流的控制。该器件由栅极(Gate)、源极(...