存储器芯片供应商宇鑫电子在本章中，赛普拉斯4Mbit（256Kx16）nvSRAM和MRAM器件分别用于44引脚TSOP-II（薄型小封装II型）和48球焊盘FBGA（小间距）。
详细描述了各个引脚中的球栅阵列封装选择和封装差异。
替换44TSOP-II封装选项图1显示了使用44引脚TSOP-II封装选项在同一44焊盘PCB封装上用4Mbit（x16）nvSRAM替换4Mbit（x16）MRAM的示例。
MRAM和nvSRAM器件的44引脚TSOP-II封装尺寸相同，如表1所示。
44引脚TSOP-II封装比较除引脚28（nvSRAM上的VCAP引脚，直流（不连接）引脚）外MRAM），nvSRAM 44引脚TSOP-II引脚的分布MRAM44引脚TSOP-II引脚的分布完全相同。
通过创建一个将电容器连接到nvSRAMVCAP的空间，可以在不调整电路板的情况下互换NV-SRAM和MRAM。
替换48引脚FBGA封装选择图2显示了使用48引脚FBGA封装选择时，在同一48焊盘PCB封装上用4Mbit（x16）nvSRAM替换4Mbit（x16）MRAM的示例。
用于MRAM和nvSRAM器件的48焊球FBGA封装的长度，宽度和高度是不同的。
但是，48球FBGA封装的间距保持不变，这确保了两个封装选件的替换引脚兼容。
在这种情况下，应保留PCB上的封装保护区域，以确保nvSRAM或MRAM48球形焊盘FBGA封装可以平滑安装而不会影响PCB上的其他组件。
表2中显示了MRAM和nvSRAM的48焊球FBGA封装尺寸比较，除了三个引脚，例如E3，G2和H6（在MRAM中设计为DC（不连接）或NC（不连接）引脚）， nvSRAM的引脚与MRAM的引脚完全相同。
在nvSRAM中，E3，G2和H6分别是VCAP，HSB和NC引脚。
通过创建一个将电容器连接到nvSRAMVCAP的空间，可以在不调整电路板的情况下互换nvSRAM和MRAM。
nvSRAMHSB引脚的高电平可以通过使用一个微上拉电阻（〜100KΩ）来调节。
因此，如果在设计中未使用nvSRAMHSB引脚的性能，则HSB引脚将保持浮置（NC）状态。
nvSRAMNC引脚的连接不受任何限制。
在设计中，nvSRAMNC引脚可以处于任何逻辑电平（高电平或低电平），也可以处于浮动（NC）状态。
MRAM和nvSRAM48球形焊盘FBGA封装的比较nvSRAM VCAP和HSB连接除了nvSRAM的VCAP引脚（相当于MRAM的非连接（NC）引脚）之外，赛普拉斯nvSRAM的引脚分布和MRAM引脚分布也完全相同。
相同的。
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