由于晶体管尺寸的物理极限不断提高，SiP持续增长以缓解压力

尽管摩尔定律被称为“定律”，但其本质更像是一种预测，这是一个伟大的预测，在过去的50年中一直指导着半导体工业的发展。但是，在这个阶段，根据摩尔定律的无限制的手工艺的增长最终将遇到被称为“物理极限”的障碍。
如何绕过障碍以继续甚至超越摩尔定律已成为当前行业发展的重点。如果说SystemonChip（SoC）技术是摩尔定律不断发展的重要产品，那么SysteminPackage（SiP）技术就是超越摩尔定律的关键途径。
借助于“后摩尔定律”提供的关键协助，SiP生态系统正在继续发展以减轻由晶体管尺寸的物理极限增加引起的压力。 （图片来源：TSMC）随着5G通信和机器学习技术应用的迅速普及，系统级封装SiP技术已在短时间内成为多样化的微系统功能，集成异构化，体积和成本最小化。
最好的解决方案。对于SiP技术生态系统，除了业界非常熟悉的半导体材料和计算机辅助设计（CAD）软件之外，IC基板技术及其相关的供应链也是SiP生态系统的重要组成部分。
上图显示了当前半导体封装和测试行业中常见的基板技术及其趋势。当前，从技术发展趋势的角度来看，双面塑料成型技术，电磁干扰屏蔽技术和激光辅助键合技术可以统称为“创新三驾马车”。
推动了系统级包装技术的发展。 NO.1双面成型技术双面成型技术（Double-Sided Moulding Technology）已成为系统级封装工程专家的新宠，其主要原因有两个：（1）有效减少封装体积以节省空间。
（2）有效缩短多个裸芯（BareDies）与无源组件之间的连接线，以降低系统阻抗并改善整体电气性能。较小的封装体积和更强的电气性能为双面塑料成型技术在SiP领域的广泛应用前景提供了良好的基础。
下图显示了由长江电子技术有限公司成功量产的双面塑料模制SiP RF前端模块产品的示例。长电科技的双面包装SiP产品采用了许多先进工艺，以确保成功应用双面塑料成型技术。
该产品采用C-mold工艺，实现了芯片底部空间的完全填充，有效降低了封装后的残余应力，确保了封装的可靠性。同时，Grinding技术的应用使包装厚度选择范围更广，同时实现了对产品厚度公差的精确控制。
为了去除过程中剩余的多余塑料模塑料，长电科技还采用了激光烧蚀工艺，以确保产品具有更好的可焊性。这项技术可能看起来很普通，但实际上它是隐藏在幕后的。
成功实施每项创新技术都必须面对许多挑战。双面成型技术的实施面临以下三个主要挑战：（1）成型过程中的翘曲。
（2）控制背面研磨（BackGrinding）过程中的风险。 （3）控制激光雕刻（LaserAblating）和焊球成型（SolderBallMaking）中的风险。
面对新技术带来的诸多挑战，长江电子科技选择面对困难，克服一系列技术难题。到2020年4月，它成功地通过了行业内全球领先客户的认证，并实现了双面包装SiP产品的批量生产。
在这一新的突破性过程中，长江电子科技严格控制生产过程，并采用高度自动化的先进过程，以有效减少双面塑料成型过程中可能出现的各种隐患。原始标题：SiP技术系统中三个创新支架的详细说明（1）文章来源：[微信公众号：长江电子技术]欢迎关注！请指出转载文章的来源。